Китайские ученые создали сверхбыструю флеш-память PoX, которая может изменить рынок микросхем и ускорить развитие ИИ
Группа китайских исследователей представила сверхбыстрое устройство нового поколения, способное совершать рекордные 25 миллиардов операций в секунду.
Традиционная флеш-память сильно проигрывает оперативной по скорости, особенно, когда нужно быстро записать данные. Но китайские ученые из Фуданьского университета предложили решение, которое может все изменить. Они создали новую энергонезависимую память PoX, способную выполнять до 25 миллиардов операций в секунду. Результаты исследования опубликованы в журнале Nature, передает Dialog.UA.
Ученые Фуданьского университета в Китае разработали флеш-память нового поколения PoX, способную записывать данные за 400 пикосекунд. Это в 10 000 раз быстрее, чем у существующих решений.
Вместо привычного кремния исследователи использовали тонкий слой графена — уникального материала, по которому электроны движутся практически без сопротивления. За счет этого и специальной настройки каналов им удалось добиться сверхвысокой скорости записи данных. Новая технология позволяет обходить физические ограничения, с которыми сталкивались все предыдущие решения.
"Используя оптимизацию процессов с помощью ИИ, мы довели энергонезависимую память до ее теоретического предела", — рассказал руководитель проекта профессор Чжоу Пэн.
Он добавил, что это открытие может положить начало новому поколению сверхбыстрой флеш-памяти.
Один из соавторов Лю Чуньсэнь сравнил результат с переходом от старой флешки, записывающей данные тысячу раз в секунду, к новому чипу, который делает это миллиарды раз за долю секунды.
Новая память не нуждается в постоянной подаче энергии, чтобы сохранять данные, поэтому отлично подойдет для гаджетов с низким потреблением, включая автономных роботов. Благодаря скорости и энергоэффективности она способна устранить одну из главных проблем в работе чипов для искусственного интеллекта — медленную передачу и хранение данных.
Кроме того, PoX может заменить дорогие компоненты вроде SRAM-памяти, освободив место и сократив энергозатраты. Это открывает новые возможности, например, моментальный запуск компьютеров или смартфонов и хранение больших баз данных прямо в энергонезависимой памяти без риска потерять информацию при отключении питания.
Для Китая эта разработка имеет стратегическое значение: страна стремится к независимости в производстве ключевых технологий. Пока не ясно, насколько долговечной окажется память и когда она поступит в массовое производство, но уже сейчас видно: графеновая технология может легко встроиться в современные фабрики, работающие с двумерными материалами.
"Наш прорыв может переопределить технологию хранения данных, ускорить индустриальные преобразования и открыть новые сценарии применения", — считает профессор Чжоу.
В ближайших планах — создание более крупной версии памяти и демонстрация ее в действии. Хотя конкретных компаний-партнеров пока не называют, китайские производители уже проявляют интерес к технологии. Если PoX действительно выйдет на рынок, это может стать настоящим прорывом для всего сектора электроники и ИИ.
Ранее Dialog.UA сообщал, что Китай начал строительство крупнейшего в мире исследовательского центра по лазерному термоядерному синтезу в Мяньяне, рассчитывая сделать прорыв в сфере чистой энергии и ядерных технологий.
Напомним, Meta разработала систему Brain2Qwerty, которая превращает мысли в текст без участия рук и речи, открывая новые возможности для людей с нарушениями движений и речи.
